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PIP-MOS管

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MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)650v 2A 5Ω管 產(chǎn)品型號(hào):PTx02N65

  • MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)650v 2A 5Ω管
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:PIP高壓場(chǎng)效應(yīng)管,額定電壓650v;額定電流2A;阻值范圍4Ω~5Ω;閾值電壓(Vth)范圍2V~4V;導(dǎo)通柵極電荷量9nc;Ciss寄生電容290pF。
重點(diǎn)參數(shù):
額定電壓(DC)
650V
寄生電容 650pF
額定電流 2A 電阻范圍 4Ω~5Ω
產(chǎn)品應(yīng)用:

產(chǎn)品詳情

PIP-MOS場(chǎng)效應(yīng)管
額定電壓 650V
額定電流
2A
阻值范圍
4Ω~5Ω
閾值電壓(Vth)
2V~4V
導(dǎo)通柵極電荷量(og,nc
9nc
寄生電容(Ciss
650pF
其它型號(hào)
PSx04N65
650V_4A_(1.9~2.9)Ω_15nc_544pF
PSx04N65C
650V_4A_(2.0~2.5)Ω_17.5nc_650pF
PSx04N65B
650V_4A_(2.1~2.5)Ω_8.5nc_450pF
PTxOSN65
650V_5A_(2.0~2.5)Ω_17nc_650pF
PTx06N65C 650V_6A_(1.55~1.85)Ω_16nc_660pF
P5x07N65 650V_7A_(1.1~1.4)Ω_25nc_1050pF
PTx07N65B
650V_7A_(1.2~1.4)Ω_20nc_1120pF
PTx08N65
650V_8A_(0.95~1.3)Ω_28nc_1240pF
PTxlON65B
650V_10A_(0.75~0.9)Ω_32nc_1660pF
PSxlON65C
650V_10A_(0.7~0.85)Ω_43nc_1340pF
PTx12N65
650V_12A_(0.6~0.75)Ω_52nc_1900pF
PTxl3N65
650V_13A_(0.55~0.65)Ω_46nc_2130pF
PTx16N65
650V_16A_(0.45~0.55)Ω_54nc_2442pF
PTx20N6SA
650V_20A_(0.33~0.5)Ω_65nc_2600pF
PTx26N65
650V_26A_(0.28~0.38)Ω_78nc_4200pF
PTW34N65
650V_34A_(0.13~0.19)Ω_150nc_7400pF
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注解:例如,200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF

1、200V為MOS額定電壓;

2、9A為MOS額定電流;

3、(0.3~0.25)Ω為MOS阻值范圍;

4、16nc為MOS柵極電荷Qg;

5、670pF為Ciss寄生電容;


封裝類型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛, 涵蓋電子類多個(gè)領(lǐng)域, 如消費(fèi)電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動(dòng)汽車等;


相關(guān)知識(shí)

1、Ciss寄生電容,最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。

2、RDSON為內(nèi)阻,作為開(kāi)關(guān)電源的主開(kāi)關(guān)MOS,以上都能能夠滿足大部分的應(yīng)用需求。

3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷,是指MOS開(kāi)關(guān)完全打開(kāi),Gate極所需要的電荷量。

4、Vth通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓.在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。

產(chǎn)品報(bào)價(jià):MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)650v 2A 5Ω管

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